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业界最快trr性能的功率MOSFET 以业界最小的开关损耗著称
發佈時間:2017-07-07 10:12:12   
簡述:业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS新增更低Ron、更低Qg的“R60xxMNx系列”
  全球知名半导体制造商ROHM的高速trr※1型600V 超级结MOSFET PrestoMOS※产品群又新增“R60xxMNx系列”,非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS是拥有业界最快trr性能的功率MOSFET,以业界最小的开关损耗著称。因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。
半导体
  此次开发的“R60xxMNx系列”通过优化ROHM独有的芯片结构,在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基础上,还成功地使Ron※2和Qg※3显著降低。由此,在变频空调等电机驱动的应用中,轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比,降低约56%,节能效果非常明显。

  不仅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势,还实现了超强的短路耐受能力,减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险,有助于提高应用的可靠性。

  本系列产品已于2016年12月份开始以月产10万个规模投入量产,前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韩国)。

  今后,ROHM将继续开发凝聚了ROHM模拟设计技术优势的高性能、高可靠性产品,不断为社会的进一步节能贡献力量。

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